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1.　R&D 神戸製鋼技報｜KOBELCO 神戸製鋼

この低抵抗状態は熱処理に対して安定性が高いことを示した。また、X線光電子分光分析から、a-IGZTOが物理的にスパッタリングされていることを示唆するOH基がアルゴンプラズマ照射後に観測されるが、

www.kobelco.co.jp/technology-review/vol71_2.html

2.　高移動度酸化物半導体 a-IGZTO を用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性

treatment. 検索用キーワード 薄膜トランジスタ,酸化物半導体,In-Ga-Zn-Sn-O,In-Ga-Zn-O,トップゲート,水素プラズマ,アルゴンプラズマ, 光電子分光 ■

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/037-041.pdf

3.　お詫びと訂正

高移動度酸化物半導体a-IGZTOを用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性 西山功兵･越智元隆･寺前裕美･後藤裕史 42 (技術資料)

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/whole.pdf