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1. 高移動度酸化物半導体 a-IGZTO を用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性
寄生容量を 低減させるためには,TFT の構造を従来のボトムゲー ト型構造からトップゲート型(プレーナ型とも呼ぶ)構 造 5) に変更することが不可欠である。トップゲート型
www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/037-041.pdf
(論文) 高移動度酸化物半導体a-IGZTOを用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性 P.37 西山功兵・越智元隆・寺前裕美・後藤裕史
www.kobelco.co.jp/technology-review/vol71_2.html
半導体材料です。この当社材料を使用したトップゲート型薄膜トラン ジスタに対して,低抵抗ソース・ドレイン形成プロセスに対する水素 プラズマ処理の有効性を明らかにしました(図 2(a))。水素プラズマ
www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/feature.pdf
4. 社会の多様なニーズを支える機能性材料とその ソリューション特集の発刊にあたって
本特集号では,トップゲート型薄膜トランジスタにおける水素プラズマ照射による半導体/導体制御に対して,そのメカニズムから設計した例を取り上げた。
www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/001-002.pdf
5. お詫びと訂正
(論文) 高移動度酸化物半導体a-IGZTOを用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性 西山功兵・越智元隆・寺前裕美・後藤裕史 42 (技術資料)
www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/whole.pdf
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