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1.　シリコンウェーハ用高精度ナノトポグラフィ測定技術の開発

ウェーハの厚み分布を反映する平坦度に加え,近年 ではナノトポグラフィと呼ばれる指標が注目されてい る。 ナノトポグラフィは半導体製造装置に関する国際規格 /スタンダードであるSEMI M43-1109

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/048-053.pdf

2.　R&D 神戸製鋼技報｜KOBELCO 神戸製鋼

（技術資料） シリコンウェーハ用高精度ナノトポグラフィ測定技術の開発 P.48 原野敬久・甘中将人・田原和彦・松岡英毅・篠田達昭 半導体シリコンウェーハ製造において、CMP（Chemical

www.kobelco.co.jp/technology-review/vol71_2.html

3.　お詫びと訂正

(技術資料) シリコンウェーハ用高精度ナノトポグラフィ測定技術の開発 原野敬久･甘中将人･田原和彦･松岡英毅･篠田達昭 54 (技術資料) 機能性セラミックス･炭素系材料の成膜･装置技術の展開

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/whole.pdf

4.　社会の多様なニーズを支える機能性材料とその ソリューション特集の発刊にあたって

半導体分野では,お客様の要求精度はナノメートルオーダに達している。本特集号では,シリコンウエハーのナノトポグラフィ測定への応用について紹介した。

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/001-002.pdf