「水素プラズマ」検索結果
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1. 高移動度酸化物半導体 a-IGZTO を用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性
を用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性 西山功兵 * 1 (理学博士) ･越智元隆 * 1 (工学博士) ･寺前裕美 * 2 ･後藤裕史 * 3
www.kobelco.co.jp/r-d/technology-review/dumm/__icsFiles/afieldfile/2025/03/19/247_037-041.pdf
(a))。水素プラズマ 処理によりa-IGZTO膜のシート抵抗は減少し,この低抵抗状態は熱処 理後も変化せず,熱安定性が高いことを示しています。この理由とし て,図 2(b)
www.kobelco.co.jp/r-d/technology-review/dumm/__icsFiles/afieldfile/2025/03/19/247_feature.pdf
3. 社会の多様なニーズを支える機能性材料とその ソリューション特集の発刊にあたって
本特集号では,トップゲート型薄膜トランジスタにおける水素プラズマ照射による半導体/導体制御に対して,そのメカニズムから設計した例を取り上げた。
www.kobelco.co.jp/r-d/technology-review/dumm/__icsFiles/afieldfile/2025/03/19/247_001-002.pdf
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