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1.　高移動度酸化物半導体 a-IGZTO を用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性

を用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性 西山功兵 * 1 (理学博士) ･越智元隆 * 1 (工学博士) ･寺前裕美 * 2 ･後藤裕史 * 3

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/037-041.pdf

2.　R&D 神戸製鋼技報｜KOBELCO 神戸製鋼

高移動度酸化物半導体a-IGZTOを用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性 P.37 西山功兵・越智元隆・寺前裕美・後藤裕史

www.kobelco.co.jp/technology-review/vol71_2.html

3.　当社グループの多様な最新機能材料とそれらを支える技術

(a))。水素プラズマ 処理によりa-IGZTO膜のシート抵抗は減少し,この低抵抗状態は熱処 理後も変化せず,熱安定性が高いことを示しています。この理由とし て,図 2(b)

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/feature.pdf

4.　お詫びと訂正

高移動度酸化物半導体a-IGZTOを用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性 西山功兵･越智元隆･寺前裕美･後藤裕史 42 (技術資料)

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/whole.pdf

5.　社会の多様なニーズを支える機能性材料とその ソリューション特集の発刊にあたって

本特集号では,トップゲート型薄膜トランジスタにおける水素プラズマ照射による半導体/導体制御に対して,そのメカニズムから設計した例を取り上げた。

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/001-002.pdf