検索結果

1.　低温ポリシリコンTFTプロセスにおける結晶欠陥の評価 −ライフタイム測定技術の応用−

(Apr. 2007) * ㈱コベルコ科研 LEO 事業本部  ** 技術開発本部 電子技術研究所 低温ポリシリコンTFTプロセスにおける結晶欠陥の評価 −ライフタイム測定技術の応用−

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/57_1/008-016.pdf

2.　R&D 神戸製鋼技報 バックナンバ Vol57, No1

（論文） 低温ポリシリコンTFTプロセスにおける結晶欠陥の評価 －ライフタイム測定技術の応用－ 276kB 住江伸吾・山下圭三・尾嶋 太・高松弘行 17 （論文）

www.kobelco.co.jp/technology-review/vol57_1.htm

3.　高配向性ダイヤモンド薄膜を用いた紫外線センサの開発

このため,この膜の表面近傍での結 晶欠陥密度は通常の多結晶膜に比べて小さく,キャリア 移動度は 1 桁程度大きくなることが知られており 11) ,ダ イヤモンド薄膜を用いた紫外線センサ用材料としては最

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/52_2/023-026.pdf

4.　半導体プロセスにおける重金属汚染の検出  −キャリアライフタイム測定装置−

伝導帯や価電子帯に生じた過剰キャリアは,汚染や結晶欠陥によって禁制帯に生じた再結合中心(トラップ)により捕獲されるとともに,再度熱的に励起される。

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/52_2/087-093.pdf

5.　R&D 神戸製鋼技報｜KOBELCO 神戸製鋼

、 結晶欠陥 10 （技術資料） シリコンウェーハ用高精度ナノトポグラフィ測定技術の開発 P.48 原野敬久・甘中将人・田原和彦・松岡英毅・篠田達昭 半導体シリコンウェーハ製造において、CMP

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6.　SiCパワーデバイスのマルチスケール分析

level. 検索用キーワード パワーデバイス,SiC,MOSFET,トレンチ構造,SEM,ラマン分光,TEM,STEM,EDX,結晶欠陥 ■

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7.　   計測･検査技術関連文献一覧表

  低温ポリシリコン TFT プロセスにおける結晶欠陥の評価−ライフタイム測定技術の応用−  住江伸吾ほか  57/1  

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/57_3/069-070.pdf

8.　ヘテロエピタキシャル･ダイヤモンドの室温紫外線発光

その波長は,主にダイヤモンド中にどんな結晶欠陥あるいは不純物を含有するかによって決まるが,とくに結晶欠陥がきわめて少ない場合はバンド端発光と呼ばれるバンドギャップエネルギに近い波長の紫外線が放射される。

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/48_3/064-067.pdf

9.　神戸製鋼技報掲載 電子･電気材料/機能性材料および装置関連文献一覧表

115 ◦低温ポリシリコンTFTプロセスにおける結晶欠陥の評価…－ライフタイム測定技術の応用－…住江伸吾…ほか 57/1 Crystallinity…Evaluation…in…

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/65_2/113-115.pdf

10.　半導体デバイスの評価･解析技術

また,Si 結晶中の欠陥は,デバイスの微細化やウェハの大口径化が進んでいる現在では,信頼性に大きな影響を及ぼすようになっており 2) ,こうした欠陥とデバイスの特性の関係を把握する必要がある。

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/48_3/072-076.pdf