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1.　高圧アニールプロセスによる銅配線の微細溝への埋込効果

(c) Cu filling & CMP Cu interconnection Via hole Insulator layer Trench

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/54_1/044-051.pdf

2.　ナノインデンテーション法による薄膜の機械的特性評価

間絶縁膜形成後に化学機械的研磨(CMP)と呼ばれるプ ロセスが施され,当然 low-k 材料自体このプロセスに耐 えうる必要があるからである。近年 CMP プロセスへの耐 性と low-k

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/52_2/074-077.pdf

3.　R&D 神戸製鋼技報｜KOBELCO 神戸製鋼

半導体シリコンウェーハ製造において、CMP（Chemical Mechanical Polishing）工程で加工される STI（Shallow Trench Isolation）

www.kobelco.co.jp/technology-review/vol71_2.html

4.　高圧アニールプロセスの半導体デバイス用デュアル ダマシン銅配線形成への応用

polishing (CMP)  (Planation of Cu layer) (Etching of I.L.) 図 2   デュアルダマシン法による Cu 配線形成プロセス Fig. 2  

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/52_2/045-052.pdf

5.　光干渉法によるウェーハの精密形状計測

ス製造の平坦化工程である CMP(Chemical Mechanical  Polishing)工程に影響を与える 2) 。これは,ERO の違い によって生じる加工圧分布の違いがウェーハ端から

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/55_1/045-047.pdf

6.　シリコンウェーハ用高精度ナノトポグラフィ測定技術の開発

の度合いを示す指標である。 CMP(Chemical Mechanical Polishing)工程により加 工されるSTI(Shallow Trench Isolation)では,ナノト

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/048-053.pdf

7.　面法線方向測定を用いた新しいウェーハエッジの断面形状 測定法

時におけるウェーハ周辺部と保持部材の接触により起こ るチッピングや,CMP(Chemical Mechanical Polishing) プロセスによるエッジ周辺における膜厚むらがエッジ断

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/57_3/043-048.pdf

8.　半導体デバイス用の材料開発の変容

Si 半導体デバイスに不可欠な銅配線,ダマシン構造,CMP などは材料屋が主体となり開発した画期的なデバイス･ プロセスであり,高性能化,高信頼化,低コスト化に寄 与しつつある。

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/48_3/002-004.pdf

9.　お詫びと訂正

誤: *1 ㈱コベルコ科研 技術本部 *2 ㈱コベルコ科研 技術本部(現 ㈱コベルコ科研 材料ソリューション事業部 応用物理技術部) 正: *1 ㈱コベルコ科研 技術本部 EV･電池プロジ ...

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