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1. 酸エッチング液耐性を備えたフラットパネルディスプレイ用酸化物半導体材料及びスパッタリングターゲット材について プレスリリース | KOBELCO 神戸製鋼
酸化物半導体として先行して国内でFPD量産が開始されたIGZO（In-Ga-Zn-O）と同等の薄膜トランジスタ特性が得られることを特徴とします。
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2. 高移動度酸化物半導体材料
Polycrystalline-Silicon:LTPS,以下LTPSという)が用いられてきたが,細野らが開発したIn-Ga-Zn-O(以下,IGZOという)酸化物半導体 1 )
www.kobelco.co.jp/r-d/technology-review/dumm/__icsFiles/afieldfile/2025/03/19/235_067-071.pdf
3. 高移動度酸化物半導体 a-IGZTO を用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性
レイ向けの半導体材料として,非晶質 In-Ga-Zn-O (a-IGZO) 1),2) や,より高移動度を示す非晶質 In-Ga-Zn- Sn-O(以下,a-IGZTO という) 3),4)
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4. PITS測定とデバイスシミュレーションによる酸化物半導 体TFTの特性解析
に対して,2004年に野村らが見出したアモルファス酸化 物半導体薄膜のamorphous-In-Ga-Zn-O 4 (以下,a-IGZO という)薄膜 3 ) は,スパッタリング法により大面積に
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している酸化物半導体材料(In-Ga-Zn-Sn-O: IGZTO)に ついて紹介する。 東京工業大学の細野名誉教授が開発した酸化物半導体 材料(In-Ga-Zn-O: IGZO) 8)
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6. μ-PCD法による酸化物半導体薄膜の評価装置 －計測技術の有効性－
れている。In-Ga-Zn-O(以下,IGZOという)に代表さ れる酸化物半導体 1 ) を用いた薄膜トランジスタ(以下, TFTという)は,従来用いられてきたアモルファスSi(以
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IGZO(In－Ga－Zn－O) 1 ) に代表されるアモルファ ス酸化物半導体材料 2 ), 3 ) は,電子の動きやすさに対応 する電子移動度が従来の材料の10倍以上高く,大面積基
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-PCDは,マイクロ波の反射率の時間変化から試料の膜質を反映するライフタイムを測定することのできる方法である。 In-Ga-Zn-O(IGZO)
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9. 神 戸 製 鋼 技 報
Security in Community Development and Manufacturing Yoshitomi OKAZAKI 13 Kobelco Group's Core
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