「In-Ga-Zn-Sn-O」検索結果
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している酸化物半導体材料(In-Ga-Zn-Sn-O: IGZTO)に ついて紹介する。 東京工業大学の細野名誉教授が開発した酸化物半導体 材料(In-Ga-Zn-O: IGZO) 8)
www.kobelco.co.jp/r-d/technology-review/dumm/__icsFiles/afieldfile/2025/03/19/249_038-042.pdf
2. 高移動度酸化物半導体 a-IGZTO を用いたトップゲート型 薄膜トランジスタの水素プラズマ処理による特性安定性
や,より高移動度を示す非晶質 In-Ga-Zn- Sn-O(以下,a-IGZTO という) 3),4) が量産されている。 また最近では,有機 EL ディスプレイ(Organic Light
www.kobelco.co.jp/r-d/technology-review/dumm/__icsFiles/afieldfile/2025/03/19/247_037-041.pdf
3. 高移動度酸化物半導体材料
に示す。参照として従来のIGZO薄膜,In-Ga-Zn-Sn-O(IGZTO) 薄膜(商品名KOS-B02)を示す。KOS-H07薄膜はPAN エッチャント耐性はもとより,H 2 O 2
www.kobelco.co.jp/r-d/technology-review/dumm/__icsFiles/afieldfile/2025/03/19/235_067-071.pdf
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