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1.　R&D 神戸製鋼技報｜KOBELCO 神戸製鋼

Field-Effect Transistor：MOSFET）は、従来のプレーナ構造のものに比べて小型・高性能化が可能なことから主流になりつつある。 本稿では、トレンチ構造のSiC

www.kobelco.co.jp/technology-review/vol71_2.html

2.　SiCパワーデバイスのマルチスケール分析

Field-Effect Transistor ,以下MOSFET という)は,主要なパワー半導体の一つである。SiC MOSFET のうち,電極をウェハー表面に付けるプレー

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/042-047.pdf

3.　社会の多様なニーズを支える機能性材料とその ソリューション特集の発刊にあたって

パワー半導体として注目されているSiCは,自動車･電装品への適用が拡大している。本特集号では,トレンチ型SiC-MOSFETに対する構造･組成･欠陥の解析例を取り上げた。走査型電子顕微鏡(SEM),

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/001-002.pdf

4.　縦型高分解能RBS分析装置

 従来 MOSFET 注) のゲート絶縁膜としては,SiO 2 が長 年使われてきたが,微細化の進展に伴って極薄化は限界 に達し,SiO 2 ではゲート電極からのボロン突抜けを抑制

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/58_2/037-041.pdf

5.　3月 || KOBELCO 神戸製鋼

微細化・集積化の進む次世代LSI（MOSFET（*4））の開発にとって中核要素であるナノメートルレベルのゲート絶縁膜(High-k)（*5）の組成分析や、次世代半導体メモリーとして有望なMRAM

www.kobelco.co.jp/archive/topics/2004/03/1172403_7440.html