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この電力変換回路にはSi半導体が搭載されたパワーMOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) や IGBT(Insulated

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誤 : (2×Speed:5 ～ 35 m/h) 正 : (2×Speed:5 ～ 35 km/h) お詫びと訂正 21ページ右段図 1: 2024年11月28日に発行いたしました本誌「Vol. ...

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Field-Effect Transistor ,以下MOSFET という)は,主要なパワー半導体の一つである。SiC MOSFET のうち,電極をウェハー表面に付けるプレー

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パワー半導体として注目されているSiCは,自動車･電装品への適用が拡大している。本特集号では,トレンチ型SiC-MOSFETに対する構造･組成･欠陥の解析例を取り上げた。走査型電子顕微鏡(SEM),

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従来 MOSFET 注) のゲート絶縁膜としては,SiO 2 が長年使われてきたが,微細化の進展に伴って極薄化は限界に達し,SiO 2 ではゲート電極からのボロン突抜けを抑制

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微細化・集積化の進む次世代LSI（MOSFET（*4））の開発にとって中核要素であるナノメートルレベルのゲート絶縁膜(High-k)（*5）の組成分析や、次世代半導体メモリーとして有望なMRAM

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