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1.　R&D 神戸製鋼技報｜KOBELCO 神戸製鋼

Field-Effect Transistor：MOSFET）は、従来のプレーナ構造のものに比べて小型・高性能化が可能なことから主流になりつつある。 本稿では、トレンチ構造のSiC

www.kobelco.co.jp/technology-review/vol71_2.html

2.　3月 || KOBELCO 神戸製鋼

微細化・集積化の進む次世代LSI（MOSFET（*4））の開発にとって中核要素であるナノメートルレベルのゲート絶縁膜(High-k)（*5）の組成分析や、次世代半導体メモリーとして有望なMRAM

www.kobelco.co.jp/archive/topics/2004/03/1172403_7440.html