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1.　車両電動化に資する分析･評価技術

こ の電力変換回路にはSi半導体が搭載されたパワーMOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) や IGBT(Insulated

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/73_2/032-037.pdf

2.　R&D 神戸製鋼技報｜KOBELCO 神戸製鋼

Field-Effect Transistor：MOSFET）は、従来のプレーナ構造のものに比べて小型・高性能化が可能なことから主流になりつつある。 本稿では、トレンチ構造のSiC

www.kobelco.co.jp/technology-review/vol71_2.html

3.　お詫びと訂正

誤 : (2×Speed:5 ～ 35 m/h) 正 : (2×Speed:5 ～ 35 km/h) お詫びと訂正 21ページ右段 図 1: 2024年11月28日に発行いたしました本誌「Vol. ...

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/73_2/whole.pdf

4.　SiCパワーデバイスのマルチスケール分析

Field-Effect Transistor ,以下MOSFET という)は,主要なパワー半導体の一つである。SiC MOSFET のうち,電極をウェハー表面に付けるプレー

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/042-047.pdf

5.　社会の多様なニーズを支える機能性材料とその ソリューション特集の発刊にあたって

パワー半導体として注目されているSiCは,自動車･電装品への適用が拡大している。本特集号では,トレンチ型SiC-MOSFETに対する構造･組成･欠陥の解析例を取り上げた。走査型電子顕微鏡(SEM),

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/001-002.pdf

6.　3月 || KOBELCO 神戸製鋼

微細化・集積化の進む次世代LSI（MOSFET（*4））の開発にとって中核要素であるナノメートルレベルのゲート絶縁膜(High-k)（*5）の組成分析や、次世代半導体メモリーとして有望なMRAM

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7.　縦型高分解能RBS分析装置

 従来 MOSFET 注) のゲート絶縁膜としては,SiO 2 が長 年使われてきたが,微細化の進展に伴って極薄化は限界 に達し,SiO 2 ではゲート電極からのボロン突抜けを抑制

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/58_2/037-041.pdf

8.　お詫びと訂正

パワー半導体として注目されているSiCは,自動車･電装品への適用が拡大している。本特集号では,トレンチ型SiC-MOSFETに対する構造･組成･欠陥の解析例を取り上げた。走査型電子顕微鏡(SEM),

www.kobelco.co.jp/technology-review/pdf/71_2/whole.pdf