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FCB™溶接装置 RF™溶接装置 SEGARC™法石松×FAMILIARC™ MX-100ERによる横向溶接自動化立向作業性抜群のフラックス入りワイヤ FAMILIARC™ DW-100V 特長

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ーク溶接に関する最新の取り組みとして,現在開発中である新RF TM を構成する技術の一つである裏フラックス 3 層散布手法について紹介する。 1 .片面サブマージアーク溶接の特徴

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の混合ガスをそれぞれエッチングガスとして用いた。ダイヤモンドエッチングのプロセスパラメータとして,RF パワー,基板バイアス,エッチング時のガス圧力,Ar/O 2 の混合比を変化させた。

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ルサレシーバとして使用しており,レシーバ出力の RF 信号はパソコンに搭載された高速 AD ボード(25MHz) に入力される。高速 AD ボードでは,走査中に探触子が探傷位置にくるたびに RF

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と RF のバイアス電圧重畳などによる低電圧スパッタ方式など,成膜中の高エネルギイオンの照射を減らす手段を用いていたが,UBMS 法を用いると複雑な機構を使用しない単純なDC

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Backing) とRF TM注 2 ) (Resin Flux)をほぼ同時に開発した。FCB TM とRF TM は現在も専用の溶接装置とともに国内外で広く採用されている 1 ),2 ) 。

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(Flux Copper Backing)法,RF (Resin Flux)法と名付けられた新施工法を開発し,翌 1965 年には実用化に成功した。この片面サブマージアーク溶接法は反転作業を省略

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1 法,RF TM 注 2 法)が広く適用されている。そして現在,新たに造船向けロボットシステムによるソリューション技術開発に取り組んでおり,まさに半世紀以上も造船の溶接を支え,今なお

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of RF Transistors Fabricated on Heteroepitaxial Diamond Substrates It is a necessity to

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1 ) 法,RF TM 注 2 ) 法と名付けられた施工法が1964年に当社で開発された 1 ) 。これらは現在では船体平行部のブロック建造に欠かせない施工

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